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1、功率半導(dǎo)體材料技術(shù)演變
功率半導(dǎo)體器件離不開(kāi)材料的支撐。半導(dǎo)體材料從40年代起到現(xiàn)在，主要經(jīng)歷了三代：第一代是元素半導(dǎo)體，主要材料為鍺（Ge）、硅（Si）；第二代是化合物半導(dǎo)體，主要材料為砷化鎵（GaAs）、硫化錫（InP）；第三代為寬禁帶半導(dǎo)體，主要材料為碳化硅（SiC）、氮化嫁（GaN），其擁有更寬的禁帶、更高的臨界擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率，因此特別適合高壓、高溫和高頻應(yīng)用。第二代化合物半導(dǎo)體主要用在微波射頻方面，大功率半導(dǎo)體用的材料主要是第一代和第三代。

      2、功率半導(dǎo)體技術(shù)演變
功率半導(dǎo)體器件自40年代在美國(guó)發(fā)明以來(lái)，其技術(shù)演變也經(jīng)歷了三代：第一代包括鍺管、硅二極管和晶閘管，以硅基晶閘管為代表，主要特征是半控性，只能控制導(dǎo)通，不能自主關(guān)斷；第二代主要以硅材料為主，包括MOSFET、GTO、IGBT和IGCT，最主要特點(diǎn)是不僅可以控制開(kāi)通，而且有自主關(guān)斷能力，可以實(shí)現(xiàn)自由開(kāi)關(guān)，且頻率更高；第三代半導(dǎo)體，以寬禁帶材料為主，包括SiC、GaN材料等，SiC材料和器件雖然上世紀(jì)八十年代就開(kāi)始有研究，但真正的快速發(fā)展還是在2000年以后，目前雖有SiC SBD和MOSFET產(chǎn)品，但技術(shù)尚未成熟。